Публикации
UCIe – открытый протокол для взаимосвязи чиплетов и построения дезагрегированных инфраструктур, статья
Dell Validated Design for Analytics — Data Lakehouse: интегрированное хранилище данных, статья
OCP Global Summit: решения для Computational Storage и компонуемых масштабируемых архитектур, статья
Samsung CXL MemoryySemantic SSD: 20M IOPs, статья
Omni-Path Express – открытый интерконнект для экзафлопных HPC/AI-систем, статья
От хранилищ данных и “озер данных” к open data lakehouse и фабрике данных, статья
GigaIO: CDI_решение на базе AMD для высшего образования, статья
End-to-end 64G FC NAFA, статья
Computational Storage, статья
Технология KIOXIA Software-Enabled Flash™, статья
Pavilion: 200 млн IOPS на стойку, статья
CXL 2.0: инновации в операциях Load/Store вводаавывода, статья
LightOS™ 2.2 – программно-определяемое составное блочное NVMe/TCP хранилище, статья
Тестирование референсной архитектуры Weka AI на базе NVIDIA DGX A100, статья
SmartNIC – новый уровень инфраструктурной обработки, статья
Ethernet SSD, JBOF, EBOF и дезагрегированные хранилища, статья
Compute, Memory и Storage, статья
Fujitsu ETERNUS CS8000 – единая масштабируемая платформа для резервного копирования и архивирования, статья
Lenovo: CXL – будущее серверов с многоуровневой памятью , статья
Liqid: компонуемые дезагрегированные инфраструктуры для HPC и AI, статья
Intel® Agilex™ FPGA, статья
Fujitsu ETERNUS DSP - разработано для будущего, статья
Технологии охлаждения для следующего поколения HPC-решений, статья
Что такое современный HBA?, статья
Fugaku– самый быстрый суперкомпьютер в мире, статья
НРС – эпоха революционных изменений, статья
Weka для AI-трансформации, статья
Cloudera Data Platform – “лучшее из двух миров”, статья
Excelero NVEdge для HA IoT-эры, статья
Адаптивные HPC/AI-архитектуры для экзаскейл-эры, статья
Новое поколение СХД Fujitsu ETERNUS, статья
Зональное хранение данных, статья
За пределами суперкомпьютеров, статья
Применение Intel® Optane™ DC и Intel® FPGA PAC, статья
DAOS: СХД для HPC/BigData/AI приложений в эру экзаскейл_вычислений, статья
IPsec в пост-квантовую эру, статья
Дезагрегированные компонуемые среды для высокопроизводительных задач, статья
HPE Primera: интеллектуальная СХД HPE 3PAR, статья
HPE Elastic Platform for Big Data and Analytics, статья
LiCO: оркестрация гибридныхНРС/AI/BigData_инфраструктур, статья
 
Обзоры
Все обзоры в Storage News
 
Тематические публикации
Flash-память
Облачные вычисления/сервисы
Специализ. СХД для BI-хранилищ, аналитика "больших данных", интеграция данных
Современные СХД
Информационная безопасность (ИБ), борьба с мошенничеством
Рынки
Samsung Electronics разрабатывает первую в отрасли 12-нм DRAM DDR5

21, декабрь 2022  — 

Новая DRAM от Samsung, которая должна начать массовое производство в 2023 году, будет продвигать вычислительные системы следующего поколения, центры обработки данных и приложения искусственного интеллекта с лучшей в отрасли производительностью и большей энергоэффективностью.

Samsung Electronics сегодня объявила о разработке своей 16-гигабитной (Гб) DRAM DDR5, построенной с использованием первого в отрасли 12-нанометрового (нм) технологического процесса, а также о завершении оценки продукта на совместимость с AMD.

«Наша DRAM с 12-нм диапазоном станет ключевым фактором в стимулировании внедрения DDR5 DRAM на всем рынке», - сказал Джуянг Ли ( Jooyoung Lee ), исполнительный вице-президент по продуктам и технологиям DRAM в Samsung Electronics. «Благодаря исключительной производительности и энергоэффективности мы ожидаем, что наша новая DRAM послужит основой для более устойчивых операций в таких областях, как вычисления следующего поколения, центры обработки данных и системы, управляемые искусственным интеллектом».

«Инновации часто требуют тесного сотрудничества с отраслевыми партнерами, чтобы раздвинуть границы технологий», - сказал Джо Макри ( Joe Macri ), старший вице-президент, корпоративный научный сотрудник и технический директор amd по клиентам, вычислениям и графике. «Мы очень рады снова сотрудничать с Samsung, особенно в представлении продуктов памяти DDR5, которые оптимизированы и проверены на платформах «Zen».

Этот технологический скачок стал возможным благодаря использованию нового материала с высоким содержанием ?, который увеличивает емкость ячейки, и запатентованной технологии проектирования, которая улучшает критические характеристики схемы. В сочетании с передовой многослойной экстремальной ультрафиолетовой (EUV) литографией новая DRAM имеет самую высокую в отрасли плотность кристалла, что позволяет увеличить производительность пластин на 20 процентов.

Используя новейший стандарт DDR5, 12-нм DRAM от Samsung поможет разблокировать скорость до 7,2 гигабит в секунду (Гбит / с). Это приводит к обработке двух фильмов UHD по 30 гигабайт (ГБ) всего за одну секунду.

Исключительная скорость новой DRAM сочетается с большей энергоэффективностью. Потребляя на 23% меньше энергии, чем предыдущая DRAM, DRAM 12-нм класса станет идеальным решением для глобальных ИТ-компаний, стремящихся к более экологически чистым операциям.

С массовым производством, которое должно начаться в 2023 году, Samsung планирует расширить свою линейку DRAM, построенную на этом передовом 12-нм техпроцессе класса, в широкий спектр сегментов рынка, поскольку она продолжает работать с отраслевыми партнерами для поддержки быстрого расширения вычислений следующего поколения.

Публикации по теме
Центры обработки данных
 
Новости Samsung

© "Storage News" journal, Russia&CIS
(495) 233-4935;
www.storagenews.ru; info@storagenews.ru.