Публикации
UCIe – открытый протокол для взаимосвязи чиплетов и построения дезагрегированных инфраструктур, статья
Dell Validated Design for Analytics — Data Lakehouse: интегрированное хранилище данных, статья
OCP Global Summit: решения для Computational Storage и компонуемых масштабируемых архитектур, статья
Samsung CXL MemoryySemantic SSD: 20M IOPs, статья
Omni-Path Express – открытый интерконнект для экзафлопных HPC/AI-систем, статья
От хранилищ данных и “озер данных” к open data lakehouse и фабрике данных, статья
GigaIO: CDI_решение на базе AMD для высшего образования, статья
End-to-end 64G FC NAFA, статья
Computational Storage, статья
Технология KIOXIA Software-Enabled Flash™, статья
Pavilion: 200 млн IOPS на стойку, статья
CXL 2.0: инновации в операциях Load/Store вводаавывода, статья
LightOS™ 2.2 – программно-определяемое составное блочное NVMe/TCP хранилище, статья
Тестирование референсной архитектуры Weka AI на базе NVIDIA DGX A100, статья
SmartNIC – новый уровень инфраструктурной обработки, статья
Ethernet SSD, JBOF, EBOF и дезагрегированные хранилища, статья
Compute, Memory и Storage, статья
Fujitsu ETERNUS CS8000 – единая масштабируемая платформа для резервного копирования и архивирования, статья
Lenovo: CXL – будущее серверов с многоуровневой памятью , статья
Liqid: компонуемые дезагрегированные инфраструктуры для HPC и AI, статья
Intel® Agilex™ FPGA, статья
Fujitsu ETERNUS DSP - разработано для будущего, статья
Технологии охлаждения для следующего поколения HPC-решений, статья
Что такое современный HBA?, статья
Fugaku– самый быстрый суперкомпьютер в мире, статья
НРС – эпоха революционных изменений, статья
Weka для AI-трансформации, статья
Cloudera Data Platform – “лучшее из двух миров”, статья
Excelero NVEdge для HA IoT-эры, статья
Адаптивные HPC/AI-архитектуры для экзаскейл-эры, статья
Новое поколение СХД Fujitsu ETERNUS, статья
Зональное хранение данных, статья
За пределами суперкомпьютеров, статья
Применение Intel® Optane™ DC и Intel® FPGA PAC, статья
DAOS: СХД для HPC/BigData/AI приложений в эру экзаскейл_вычислений, статья
IPsec в пост-квантовую эру, статья
Дезагрегированные компонуемые среды для высокопроизводительных задач, статья
HPE Primera: интеллектуальная СХД HPE 3PAR, статья
HPE Elastic Platform for Big Data and Analytics, статья
LiCO: оркестрация гибридныхНРС/AI/BigData_инфраструктур, статья
 
Обзоры
Все обзоры в Storage News
 
Тематические публикации
Flash-память
Облачные вычисления/сервисы
Специализ. СХД для BI-хранилищ, аналитика "больших данных", интеграция данных
Современные СХД
Информационная безопасность (ИБ), борьба с мошенничеством
Рынки
SK hynix разрабатывает MCR DIMM – самый быстрый в мире серверный модуль памяти

8, декабрь 2022  —  >SK hynix Inc. (или «компания», www.skhynix.com ) объявила сегодня, что она разработала рабочие образцы DDR5 (1) Multiplexer Combined Ranks (2) (MCR) Dual In-line Memory Module, самого быстрого в мире серверного продукта DRAM. Было подтверждено, что новый продукт работает со скоростью передачи данных минимум 8 Гбит / с и, по крайней мере, на 80% быстрее, чем 4,8 Гбит / с существующих продуктов DDR5.

MCR DIMM - это достижение, полученное из нестандартного мышления с целью повышения скорости работы DDR5. Бросая вызов преобладающей концепции о том, что скорость работы DDR5 зависит от скорости работы самого чипа DRAM, инженеры стремились найти способ улучшить скорость модулей вместо чипов для разработки новейшего продукта.

SK hynix разработала продукт таким образом, чтобы обеспечить одновременную работу двух рангов за счет использования буфера данных (3), установленного на модуле MCR DIMM на основе технологии Intel MCR.

(1) Double Data Rate (DDR) - стандарт DRAM, в основном используемый для серверов и клиентских приложений, был разработан до пятого поколения. MCR DIMM представляет собой модульное изделие с несколькими микросхемами DRAM, прикрепленными к плате, и улучшенной скоростью в результате одновременной работы двух рангов.
(2) Rank - коллекция блоков передачи данных, передаваемых в ЦП из модуля DRAM. Ранг обычно относится к 64 байтам данных, передаваемых центральному процессору в виде пакета.
(3) Buffer - компонент, который оптимизирует производительность передачи сигнала между DRAM и процессором. В основном устанавливается на модули для серверов, требующих высокой производительности и надежности.

Обеспечивая одновременную работу двух рангов, MCR DIMM позволяет передавать 128 байт данных на процессор одновременно, по сравнению с 64 байтами, получаемыми обычно в обычном модуле DRAM. Увеличение объема данных, отправляемых на процессор каждый раз, поддерживает скорость передачи данных минимум 8 Гбит / с, в два раза быстрее, чем одна DRAM.

sk-hynix_MCRDIMM_EN_221004.png

Тесное сотрудничество с деловыми партнерами Intel и Renesas стало ключом к успеху. Три компании работали вместе и сотрудничали на протяжении всего процесса от разработки продукта до проверки.

Руководитель отдела планирования продукции DRAM компании SK hynix Сунгсу Рю (Sungsoo Ryu) сказал, что достижение стало возможным благодаря конвергенции различных технологий. «Возможности SK hynix по проектированию модулей DRAM были встречены превосходством Intel в процессоре Xeon и буферной технологии Renesas», - сказал Рю. «Для стабильной работы MCR DIMM необходимы плавные взаимодействия между буфером данных и процессором в модуле и из него».

Буфер данных передает несколько сигналов, поступающих от модуля в середине, а серверный процессор принимает и обрабатывает сигналы, поступающие через буфер.

«SK hynix обеспечила еще одну технологическую эволюцию для DDR5, разработав самый быстрый в мире MCR DIMM», - сказал Рю. «Наши усилия по поиску технологических прорывов будут продолжаться, поскольку мы стремимся укрепить наше лидерство на рынке серверных DRAM».

Д-р Димитриос Зиакас (Dimitrios Ziakas), вице-президент intel по технологиям памяти и ввода-вывода, сказал, что Intel и SK hynix лидируют в области инноваций в области памяти и разработки высокопроизводительной, масштабируемой DDR5 для серверов вместе с другими ключевыми отраслевыми партнерами.

«Технология, предложенная в результате многолетних совместных исследований Intel и ключевых отраслевых партнеров, чтобы обеспечить значительное увеличение пропускной способности для процессоров Intel Xeon», - сказал он. «Мы с нетерпением ждем возможности внедрить эту технологию в будущие процессоры Intel Xeon и поддержать усилия по стандартизации и разработке нескольких поколений в отрасли».

Вице-президент и генеральный директор подразделения интерфейсов памяти Renesas Самир Куппахалли сказал, что разработка Renesas буфера данных является кульминацией трех лет интенсивных усилий, охватывающих от концепции до продуктизации. «Мы гордимся партнерством с SK hynix и Intel в стремлении превратить эту технологию в привлекательный продукт», - сказал он.

SK hynix ожидает, что рынок модулей MCR DIMM будет расширяться за счет высокопроизводительных вычислений, которые будут использовать преимущества увеличенной пропускной способности памяти. SK hynix планирует вывести продукт в серийное производство в будущем.

* Intel, логотип Intel и другие знаки Intel являются товарными знаками корпорации Intel или ее дочерних компаний.

MCR-DIMM_001.jpg

О компании SK hynix Inc.

SK hynix Inc. со штаб-квартирой в Корее является ведущим мировым поставщиком полупроводников, предлагающим чипы динамической памяти с произвольным доступом («DRAM»), чипы флэш-памяти («NAND flash») и КМОП-датчики изображения («CIS») для широкого круга выдающихся клиентов по всему миру. Акции Компании торгуются на Корейской бирже, а акции Глобального депозитария котируются на Люксембургской фондовой бирже. Дополнительную информацию о SK hynix можно получить по адресу www.skhynix.com , news.skhynix.com .

Публикации по теме
Центры обработки данных
 
Новости SK hynix

© "Storage News" journal, Russia&CIS
(495) 233-4935;
www.storagenews.ru; info@storagenews.ru.