|
Micron* и Intel представляют новую флеш-память 3D NAND
26, март 2015 —
Micron Technology, Inc.* и Intel сегодня объявили о доступности технологии 3D NAND, которая позволяет создавать флеш-память с самым высоким в мире уровнем плотности размещения ячеек памяти. Флеш-память – это способ хранения данных, который используется в самых легких ноутбуках, самых быстрых центрах обработки данных и практически в каждом сотовом телефоне, планшете и мобильном устройстве . Новая технология 3D NAND, совместно разработанная Intel и Micron*, с высочайшим уровнем точности размещает слои ячеек для создания решений хранения данных, которые будут иметь в 3 раза большую емкость 1 по сравнению с устройствами на базе технологии NAND. Это позволяет хранить больше данных при более компактных размерах, что дает возможность реализовать преимущества снижения расходов и энергопотребления и повышения производительности как для потребительских мобильных устройств, так и ресурсоемких корпоративных сред.
Планарная флеш-память NAND практически уже достигла максимальных возможностей для масштабирования, что создает значительные сложности для отрасли производства памяти. Технология 3D NAND позволит флеш-продукции развиваться в соответствии с законом Мура, что даст возможность на протяжении длительного времени увеличивать ее скорость работы, сокращать расходы и более широкого использовать флеш-память. « Сотрудничество Micron* и Intel позволило создать ведущую в отрасли твердотельную технологию хранения данных, которая обеспечивает высокую плотность размещения ячеек, высокую производительность и эффективность и значительно превосходит по рабочим характеристикам флеш-память, – сказал Брайан Ширли (Brian Shirley), вице-президент по технологиям памяти компании Micron Technology*. – Технология 3D NAND имеет большой потенциал для того, чтобы коренным образом изменить рынок памяти ». « Технологическое сотрудничество Intel и Micron* отражает наше стремление предложить на рынке передовые технологии энергонезависимой памяти, – сказал Роб Крук (Rob Crooke), старший вице-президент и руководитель подразделения Non-Volatile Memory Solutions Group корпорации Intel. – Преимущества более высокой плотности и экономии, обеспечиваемые нашей новой технологией 3D NAND, ускорят внедрение твердотельных решений для хранения данных ». Инновационная архитектура технологического процесса Одним из наиболее важных аспектов этой технологии является разработка принципиально новых ячеек памяти. Intel и Micron* выбрали ячейки с плавающим затвором, универсальную технологию, которая на протяжении многих лет использовалась при массовом производстве планарной флеш-памяти. Этот проект стал первым примером использования ячеек с плавающим затвором для трехмерной памяти на базе технологии 3D NAND. Кроме того, такой подход обеспечил более высокую производительность, качество и надежность. Новая технология 3D NAND создает 32 слоя ячеек памяти, что позволяет обеспечить 256 Гбит для типа MLC и 384 Гбит для типа TLC. Увеличенная емкость дает возможность создавать твердотельные накопители размером с пластинку жевательной резинки с более чем 3,5 ТБайт для хранения данных и стандартные твердотельные накопители формата 2,5 дюйма, на которых можно хранить более 10 ТБайт данных. Т.к. более высокая емкость обеспечивается за счет установки ячеек друг на друга, размеры отдельных ячеек могут быть значительно больше. Предполагается, что это позволит увеличить производительность и срок службы и в будущем использовать технологию TLC в центрах обработки данных. Основные характеристики продукции на базе технологии 3D NAND:
MLC- версия (256 Гбит) памяти 3D NAND уже поставляется отдельным партнерам в виде образцов, а тестовые поставки TLC-версии (384 Гбит) начнутся уже весной. Пробные пуски производственной линии уже начались, серийное производство новой продукции запланировано на IV кв. этого года. Компании также разрабатывают собственные линии для производства твердотельной продукции на базе технологии 3D NAND. Предполагается, что эта продукция выйдет на рынок в следующем году. О корпорации Intel Intel является лидером в области компьютерных инноваций. Корпорация разрабатывает и создает технологии, которые лежат в основе вычислительных устройств. Являясь лидером в сфере корпоративной и социальной ответственности, Intel также производит первые в мире « бесконфликтные » микропроцессоры. Дополнительную информацию о корпорации Intel можно найти на веб-сайте www.intel.ru/pressroom , на русскоязычном сервере http :// www . intel . ru и на портале http://conflictfree.intel.com/, посвященном инициативам Intel по отказу от использования конфликтных материалов. Intel является товарным знаком корпорации Intel в США и других странах. Примите участие в обсуждении твердотельных накопителей на каналах социальных сетей Intel':
* Другие торговые марки и товарные знаки являются собственностью их законных владельцев. Заявления в этом документе, относящиеся к планам и ожиданиям Intel на квартал, год и дальнейшее будущее, являются заявлениями прогностического характера и связаны с рядом рисков и неопределенностей. Подробное обсуждение факторов, которые могут оказать влияние на результаты и планы Intel, включены в документы, поданные в Комиссию по ценным бумагам, включая ежегодный отчет по форме 10-К. О компании Micron Technology, Inc.* Micron Technology, Inc.* – мировой лидер в области производства полупроводниковых систем. Широкий ассортимент продукции, включающей память DRAM, NAND и NOR флеш, является основой твердотельных накопителей, модулей памяти, многокристальных модулей и других системных решений. Созданные на основе более 35-летнего лидерства компании, решения для хранения данных используются в самых передовых вычислительных и потребительских системах, корпоративных системах хранения данных, сетевых, мобильных, встраиваемых и автомобильных решениях. Акций Micron* торгуются на бирже NASDAQ* (обозначение MU). Дополнительная информация о Micron Technology, Inc.* доступна на сайте www . micron . com © 2015 г, Micron Technology, Inc.* Все права защищены. Micron и логотип Micron являются торговыми марками Micron Technology, Inc. Примите участие в обсуждениях Micron* по вопросам памяти и хранения данных:
|
| ||||||||
